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发布日期：2024-09-20 17:26 点击次数：62
财联社9月11日讯，据国度电力投资集团有限公司（以下简称“国度电投”）9月10日音信，近日，国度电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国度原子能机构核技巧（功率芯片质子放射）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片居品客户录用。
国度电投暗意，这象征着我国已全面掌执功率半导体高能氢离子注入中枢技巧和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的进军一环，为半导体离子注入建造和工艺的全面国产化奠定了基础。
据国度电投先容，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的进军要领，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体居品制造进程中起着枢纽作用，该边界中枢技巧及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，相等是600V以上高压功率芯片恒久依赖入口。核力创芯的技巧突破，证券配资冲突了国际把持。
核力创芯在碰到番邦枢纽技巧及装备阻滞的不利条款下，对峙独力重生，自主革命，打造新质坐蓐力，在不到三年的时辰里，突破多项枢纽技巧壁垒，完了了100%自主技巧和100%装备国产化，建成了我国首个核技巧诈欺和半导体边界交叉学科研发平台。首批录用的芯片居品资历了累计近万小时的工艺及可靠性测闇练证，主要技巧场所达到国际先进水平，得回用户高度评价。